最先端プロセスノードの安定供給網を構築し、エネルギー効率向上とクリーン製造を両立する戦略的プロジェクトが始動。
産業ガスの世界的リーダーである仏エア・リキードは、日本国内における半導体製造エコシステムの急速な発展に対応するため、超高純度窒素および特殊キャリアガスを供給する新プラント群の建設に1億7000万ユーロ（約270億円規模）以上を投じる計画を発表しました。このプロジェクトは、AI半導体や車載向けロジックICなど、極微細化が進む最先端ファブに隣接して設置されます。
今回の投資により建設される施設群は、従来の製造プラントと比較して消費電力を約20%削減する最新鋭の空気分離装置（ASU）を採用。超高純度ガスを24時間365日ノンストップでパイプライン供給する体制を整え、日本の半導体復権と脱炭素化を同時に後押しします。
2nm世代をはじめとする最先端半導体プロセスでは、ウェハー表面の僅かな微粒子やppb（10億分の1）以下の不純物ガスが歩留まりに致命的な影響を与えます。エア・リキードの新施設では、極低温蒸留技術と先進吸着フィルターを統合し、不純物混入をppt（1兆分の1）オーダーまで極限に抑えたガス精製を実現します。
これにより、回路パターンの欠陥発生率を大幅に低減させ、先端プロセスノードにおける高品質な量産体制をバックアップします。
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半導体パッケージ基板向け密着向上剤などの需要急増に対応し、北九州工場の生産ラインを大幅に拡張。
半導体産業の成長に期待しています。脱炭素とBCP対策を両立したパイプライン供給モデルは持続可能性の観点からも素晴らしい取り組みだと思います。
非常に興味深い投資ニュースですね。最先端プロセスにおける超高純度ガスの安定供給は歩留まり向上に直結するため、国内ファブにとって心強い動きです。