生成AIアクセラレータ向け高帯域幅メモリ（HBM）および1γプロセスを採用した最先端DRAMの安定供給を目指し、国内製造基盤を大幅に拡充します。
米半導体大手マイクロン・テクノロジーは、広島県東広島市に位置する広島工場（旧エルピーダメモリ）の敷地内において、新クリーンルーム棟の建設工事を正式に開始しました。総投資規模は約1.5兆円に達し、日本政府による手厚い助成金支援を受けながら、世界最高水準の微細化技術を用いた次世代メモリの生産体制を整備します。
今回の拡張計画の中心となるのは、極端紫外線（EUV）露光装置を用いた1γ（ガンマ）世代のDRAM量産です。生成AIモデルの急速な大規模化に伴い、AIサーバー向け高帯域幅メモリ（HBM）の需要が世界的に逼迫しており、広島工場はその中核サプライヤーとしてグローバル市場へ供給を行う計画です。
広島工場はマイクロンの世界製造ネットワークにおいて、DRAM研究開発および先端試作の最重要拠点として機能してきました。今回の新棟建設により、オランダASML製のEUV（極端紫外線）露光装置が複数台導入され、1γnm世代以降のさらなる微細化プロセスが推進されます。
従来の液浸ArF露光装置を多重露光するプロセスからEUV露光への切り替えにより、パターニング工程の簡素化と歩留まり向上が同時に達成され、チップ面積あたりの記憶密度とエネルギー効率が飛躍的に向上します。
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先端半導体工場向けに不可欠な超高純度窒素ガスなどを供給する大規模拠点を整備し、国内サプライチェーンの安定化を支援します。
高密度パッケージ基板の銅密着向上剤などの需要拡大を受け、北九州工場での製造設備を大幅に増強します。
大規模な投資ですね。